Номер детали производителя : | RS1BL RQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GP 100V 800MA SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS1BL RQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS1BL RQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GP 100V 800MA SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RS1BL RQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 800 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 800mA |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | RS1B |
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
150NS, 0.8A, 100V, FAST RECOVERY
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
DIODE GP 100V 800MA SUB SMA